Produktbeschreibung
Produkt-Beschreibung:
Merkmal:
Hä Rte 1. High
abschleifende Leistung des Widerstands 2. Extremely
3. Lightweight
Geltungsbereich 4. Wide
Die keramische Tonerde ist Al2O3 als hauptsä Chlichrohstoff, im seltenen Metalloxid als Fluss, spezielles keramisches Stü Ck nach tausend Gradhochtemperaturrö Stung in
Ist keramischer Gehalt der Tonerde Al2O3 hoch, die Zelle ist verhä Ltnismä ß Ig kompakt, mit speziellen Eigenschaften, es bekannt als die spezielle Keramik. Das Al2O3. Keramische Materialien sind die dicht geordnete Zelle mit sechs Parteien fü R Sauerstoffion und Aluminiumion, innen gefü Llt 2/3 mit acht Seiten im Abstand, der der selbe mit bestä Ndiger Zelle des Alphas Al2O3 des natü Rlichen Korunds ist, also die Keramik mit hochschmelzendem Punkt, hohe Hä Rte, gute Abnü Tzung - Widerstand
EIGENSCHAFTEN-TISCH | |||||||
Feld/Gerä T prü Fen | Numerischer Wert | Feld/Gerä T prü Fen | Numerischer Wert | ||||
Produkt-Material | Tonerde | Zirconia | Produkt-Material | Tonerde | Zirconia | ||
Zufriedene Teil% | ≥ 99% | ≥ 95% | ≥ 90% | Datenträ Ger-Widerstand cm | > 1012 | > 1012 | > 1012 |
SinternTemp º C | 1780-1800 | 1650-1680 | 1550-2600 | BiegefestigkeitMpa | 400 | 320 | 1100 |
Spezifisches Gewicht g/cm3 | ≥ 3.8 | ≥ 3.6 | > 6 | Thermische Dynamicdehnungs-Koeffizient *10° | 6.8-8 | 6.2-8.5 | 6.9-10 |
Durchbruchsspannung-Stä Rke kv/mm | 15 | 15 | 15 | Rauheit μ M | ≤ 0.8 | ≤ 0.8 | ≤ 0.8 |
Bibulous Kinetik % | < 0.01 | < 0.01 | < 0.01 | Spiegel-Polierra | ≤ 0.05 | ≤ 0.1 | ≤ 0.05 |
AntidruckMpa | 3700 | 2400 | 5000 | Wä Rmeleitfä Higkeit W/m-k | 25 | 20 | 2.5 |
Hä Rte Hra | ≥ 88 | ≥ 82 | ≥ 88 | Temperatur-Widerstand º C | 1700 | 1600 | 1800 |
Regelmä ß Ige Grö ß E und Modelle:
Das TO-220, 1mm*13mm*19mm
Das TO-3 P, 1mm*20mm*25mm
Das TO-264, 1mm*22mm*28mm
Das T0-247, 0.635mm*17mm*22mm
Andere nichtstandardisierte Produkte kö Nnen Zeichnungen des kundenspezifischen Aufbereitens zur Verfü Gung stellen
Leistung
Physikalische Eigenschaften: Hoher Isolierungswiderstand, Zusammenbruch, Hochtemperaturwiderstand, Abnutzungswiderstand, hochfest (drei Meter Hö Henfall nicht gebrochen)
Feuerbewertung: USA-Militä Rstandard MIL-F-51058 (die hö Chste Stufe)
Typische Anwendung: Starkes Bargeld, Spannung, starke Hochtemperaturteile, IS-MOS, IGBT Energiengefä ß -Wä Rmerohrisolierung
Bescheinigung:
natü Rlicher organischer Stoff, die Europä Ische Gemeinschaft, ausgenommene Produkte ohne Bescheinigungmaterialien
Wä Rmeleitfä Higkeit: Hochtemperatur: 1600 Grad unterhalb des idealen wä Rmeisolierenden Materials des Hochspannungs- und Hochfrequenzgerä Ts
Anwendung:
Die keramische Tonerde wird hauptsä Chlich im Gerä T der groß En Energie, IM IS-MOS-Gefä ß , IM IGBT Chip Wä Rmeleitisolierung, Hochfrequenzstromversorgung, Kommunikation, mechanisches Gerä T, starkes Bargeld, Hochspannung, Hochtemperatur und andere thermische Wä Rmeisolierung-Teilnotwendigkeitsprodukte verwendet
Physikalische Eigenschaften: Hohe Wä Rmeleitfä Higkeit, Hochspannungsisolierungswiderstand, Hochtemperaturbestä Ndiges, Abnutzung bestä Ndig, hochfest
Firmaeinleitung:
Shenzhen City Jia Rifeng Tai Electronic Technology Co., Ltd. Wurde 2010, ein Investitionsvolumen von mehr als 1000000 RMB gegrü Ndet. Jia RiFeng Tai ist ein Fachmann, der an den inlä Ndischen und fremden elektronischen Materialien der thermischen Isolierung der Hightech- Unternehmen festgelegt wird
Unsere Hauptprodukte: Thermisches leitendes Einfü Llstutzenmaterial, wie thermische Abstandsauflage, Isolierungssilikonblatt, Isolierungssilikonhü Lse, ACF leitender Film, thermische Silikonheizung, thermisches doppelseitiges Band, thermischer Graphit, thermische Silikon encapsulants, thermisches Fett/Paste, Tonerde keramisch, Aln keramisch, Zirconia keramisch, Sic keramisch, NFC Ferritblatt, EMS-Saugerblatt, thermisches Phasenä Nderungsmaterial, Silikongummi (Fujipoly), Bergquist thermisches leitendes Material K4, K6, Abstandsauflage der Isolierung K10
Ausstellung:
Kontakt-Methoden:
Wir kö Nnen viele Bedingungen entsprechend Ihrem Antrag bilden!
Zu mehr Information frei bitte sich fü Hlen, zu mir in Verbindung zu treten